Wczytuję dane...
Model: DIASA1SSD0041
Kod producenta: MZ-V8P1T0BW
Gwarancja: 60 miesięcy
Realizacja zamówienia: 24 godzin
Sprzedanych produktów: 0
EAN: 8806090295546
Wysyłka od: 25.00 PLN
Producent: samsung
KUP TERAZ!
Prędkość zapisu nośnika: 5000 MB/s
Wstrząsy podczas pracy: 1500 G
Wsparcie TRIM: Tak
Napięcie pracy: 3,3 V
Pojemność pamięci SSD: 1000 GB
NVMe: Tak
Średnie zużycie mocy: 6,2 W
Losowy odczyt (4KB): 1000000 IOPS
Typ pamięci: V-NAND MLC
NVMe wersja: 1.3c
Obsługa S.M.A.R.T.: Tak
Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2
Szyfrowanie sprzętu: Tak
Losowy zapis (4KB): 1000000 IOPS
MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h
Głębokość produktu: 2,38 mm
Standardowe rozwiązania komunikacyjne: PCI Express 4.0
Zakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °C
Maksymalne zużycie mocy: 8,9 W
Waga produktu: 9 g
Element dla: PC
Szerokość produktu: 80,2 mm
Wysokość produktu: 22,1 mm
Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit WEP
Prędkość odczytu z nośnika: 7000 MB/s

IT

  • Element dla: 

    PC

  • Głębokość produktu: 

    2,38 mm

  • Losowy odczyt (4KB): 

    1000000 IOPS

  • Losowy zapis (4KB): 

    1000000 IOPS

  • Maksymalne zużycie mocy: 

    8,9 W

  • MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 

    1500000 h

  • Napięcie pracy: 

    3,3 V

  • NVMe: 

    Tak

  • NVMe wersja: 

    1.3c

  • Obsługa S.M.A.R.T.: 

    Tak

  • Pojemność pamięci SSD: 

    1000 GB

  • Prędkość odczytu z nośnika: 

    7000 MB/s

  • Prędkość zapisu nośnika: 

    5000 MB/s

  • Rozmiar kieszeni dysku SSD: 

    M.2

  • Standardowe rozwiązania komunikacyjne: 

    PCI Express 4.0

  • Szerokość produktu: 

    80,2 mm

  • Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 

    256-bit WEP

  • Szyfrowanie sprzętu: 

    Tak

  • Średnie zużycie mocy: 

    6,2 W

  • Typ pamięci: 

    V-NAND MLC

  • Waga produktu: 

    9 g

  • Wsparcie TRIM: 

    Tak

  • Wstrząsy podczas pracy: 

    1500 G

  • Wysokość produktu: 

    22,1 mm

  • Zakres temperatur (eksploatacja): 

    0 - 70 °C

Polecamy